现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T 25074)或《流化床法颗粒硅》(GB/T 35307)特级品的要求。
2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命不低于2μs，碳、氧含量分别小于10ppma和12ppma;P型单晶硅片少子寿命不低于80μs，N型单晶硅片少子寿命不低于800μs，碳、氧含量分别小于1ppma和12ppma，其中异质结电池用N型单晶硅片少子寿命不低于500μs，碳、氧含量分别小于1ppma和14ppma。
3.多晶硅电池、P型单晶硅电池和N型单晶硅电池(双面电池按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于21.4%、23.2%和25%。
4.多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件(双面组件按正面效率计算)的平均光电转换效率分别不低于19.4%、21.2%和22.3%。
5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及钙钛矿等其他薄膜组件的平均光电转换效率分别不低于12%、15%、15%、14%。
6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96.5%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和97.3%)，微型逆变器相关指标分别不低于95%和95.5%。
附件：光伏制造行业规范条件(2024年本)
