异质结太阳电池英文名称缩写为HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer),中文名称为本征薄膜异质结电池。异质结电池最早由日本三洋公司于1990年研发成功,并被注册为商标。由于HIT电池的特殊结构,其衰减程度要显著低于PERC电池:
* HIT电池表面的TCO具有导电特性,电荷不会在表面产生极化现象,无电位诱导衰减PID;
* N型硅片掺磷,没有硼氧复合体和硼铁复合体,光致衰减LID很小
据相关数据显示,HIT电池的首年衰减和年均衰减均低于PERC电池,并得到电站发电实证。
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